台积电从《芯片法案》获得66亿美元补贴 计划在凤凰城建造第三座晶圆厂

台积电（TSMC）宣布，与美国商务部签署了一份不具约束力的初步条款备忘录（PMT），后者将根据《芯片法案》向台积电提供约66亿美元的直接拨款，另外初步提供最高55亿美元的贷款。台积电还计划就亚利桑那州工厂资本支出中符合条件的部分，向美国财政部申请最高25%的投资税收抵免。

台积电同时还敲定了在亚利桑那州凤凰城建造第三座晶圆厂，通过最先进的制程技术来满足当地客户的需求。随着新增第三座晶圆厂，台积电的Fab21项目的资本支出从400亿美元提升至650亿美元以上。台积电表示，第三座晶圆厂预计将创造约6000个直接高科技、高薪工作机会，打造充满活力和具备竞争力的全球半导体生态系统劳动力。

据了解，Fab21项目的一期工程初期投入120亿美元，选择了4/5nm工艺的生产线，目前进展良好，计划在2025年上半年投产;二期工程原计划选择3nm工艺的生产线，现在将推进至2nm工艺，预计在2028年投产，前两期工程加起来的总产能为每月5万片晶圆;新增三期工程将采用2nm或更先进的制程技术，预计2030年之前投产。

台积电还将实践绿色制造的承诺，在能源效率、节水、废物管理和空气污染管控等方面不断创新，目标实现90%的水回收率，亚利桑那州工厂已就达到“近零液体排放”的目标进行工业再生水厂的设计阶段。